【简介】cmp化学机械抛光设备配备机械手臂1个，可上下卡塞。
配备2个研磨单元，3腔控制。
CMP研磨抛光机配备终点检测系统，可对每个工艺步骤的工艺参数进行编辑，按程序对晶片表面薄膜进行平坦化抛光。

cmp化学机械抛光设备配备机械手臂1个，可上下卡塞。

配备2个研磨单元，3腔控制。

CMP研磨抛光机配备终点检测系统，可对每个工艺步骤的工艺参数进行编辑，按程序对晶片表面薄膜进行平坦化抛光。

cmp化学机械抛光设备设备参数:

【技术应用】

适用材料  主要用于4-8英寸STI、ILD/IMD、TSV、TGV材质的晶圆抛光及SiC、LT、LN、GaAs等化合物材质的晶圆表面抛光。

应用领域   广泛应用于半导体材料衬底减薄抛光、器件制备、封装及MEMS等相关领域，例如TC-SAW、FBAR、激光器、硅光子器件、TSV、SIP、Fan-out、MEMS高温压力传感器、MEMS陀螺仪等。

【设备说明】

CMP研磨抛光机是HSM公司研制出的用于4-8英寸STI、ILD/IMD、TSV、TGV材质的晶圆抛光及SiC、LT、LN、GaAs等化合物材质的晶圆表面抛光的高精度研磨抛光机。它具有科学合理的设计及性能，其自动化程度高，操作便捷，方便维护，可靠性强。所有工艺参数可通过触摸屏显示的交互界面进行设置。样品的衬底粘结、研磨减薄、化学机械抛光以及前后检测等关键工序衔接流畅合理、加工尺寸保持一致。具有多种进出方式，能够在半导体晶圆、芯片或IC的分层/平面化时提供一致和准确的结果。此外，设备可通过多种类型的抛光盘、浆料和抛光垫在不同数量的材料中实现可重复的结果。

HSM-CMP系列机台通过配置不同的硬件及耗材，可实现多种机台配置及工艺方案以满足用户不同材料及尺寸等的多种技术要求。

【抛光头介绍】

本设备适配的抛光头均为我司自行研发设计与生产。其中4寸3腔的抛光头为我司产品，国内无多腔4寸抛光头的空白。

我司可根据用户产品的特性快速修改或订制对应抛光头。如在TGV薄片（200um）产品开发中，我司修改了对应抛光头的内部结构，从而满足用户对薄片抛光的***终技术要求。再如LN表面OX抛光工艺开发过程中我司对6寸抛光头进行深度升级，成功达到了用户的产品需求。

【系列型号】