cmp化学机械抛光设备配备机械手臂1个，可上下卡塞。$n配备2个研磨单元，3腔控制。$nCMP研磨抛光机配备终点检测系统，可对每个工艺步骤的工艺参数进行编辑，按程序对晶片表面薄膜进行平坦化抛光。

化学抛光机多尺寸适配与灵活定制$n□ 适配 2-8 寸晶圆，夹具可配不同配重块适配多材料工艺；夹板、夹具、偏心距支持定制，满足个性化需求。$n超精抛光指标$n□ ΔTTV≤2μm，ΔPV≤2μm（激光干涉仪可测）$n□ 白光轮廓仪测试：232×174μm 视场下，抛光前后 Ra 均≤1nm； 64×48μm 视场，ΔRa≤0.1nm。$n表面质量$n□ 零机械作用力设计，无橘皮、划痕；抛光后无新增缺陷。

为实现化学抛光等各种复合工艺，纯化学抛光机支持双通道进料系统，可单独/同时工作，进料速率可实现数字化控制。供液流量控制范围：0~10ml/s；

配备机械手臂1个，可上下卡塞。$n配备2个研磨单元，3腔控制。$nCMP研磨抛光机配备终点检测系统，可对每个工艺步骤的工艺参数进行编辑，按程序对晶片表面薄膜进行平坦化抛光。